北理工課題組在各向異性共振隧穿晶體管研究方面取得重要進(jìn)展
發(fā)布日期：2025-03-12 供稿：物理學(xué)院 攝影：物理學(xué)院
編輯：王莉蓉 審核：陳珂 閱讀次數(shù)：
隨著對(duì)二維范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)中共振隧穿的研究,，其在能帶結(jié)構(gòu)探測(cè)、多值邏輯運(yùn)算和振蕩器等領(lǐng)域已得到廣泛的應(yīng)用,。由于晶格對(duì)準(zhǔn)決定著共振隧穿過(guò)程中的動(dòng)量守恒條件,，研究者通常不會(huì)在共振隧穿晶體管中采用大扭轉(zhuǎn)角，避免扭轉(zhuǎn)角引起的動(dòng)量不匹配可能會(huì)破壞共振隧穿條件,，從而影響負(fù)微分電阻和峰谷比（PVR）,。然而，扭轉(zhuǎn)角也可以提供控制層間耦合和能帶對(duì)準(zhǔn)的額外自由度,。此外,，一些二維材料的各向異性的能帶結(jié)構(gòu)，有望在動(dòng)量空間中對(duì)共振隧穿和負(fù)微分電阻產(chǎn)生新穎的調(diào)制,。因此,，通過(guò)改變各向異性二維材料間的扭轉(zhuǎn)角度以調(diào)整晶格取向來(lái)探索共振隧穿現(xiàn)象,，有望為共振隧穿現(xiàn)象提供一個(gè)新的調(diào)控手段。
鑒于此,，北京理工大學(xué)鄭守君研究員,、蔣偉教授、王秩偉教授和熊嫣博士共同合作在ACS Nano在線(xiàn)發(fā)表“Anisotropic resonant tunneling in twist-stacked van der Waals heterostructure”的研究成果,。研究者通過(guò)利用扭曲堆疊的1T’二硒化錸設(shè)計(jì)了一種二硒化錸/六方氮化硼/二硒化錸（ReSe2/h-BN/ReSe2）扭曲堆疊共振隧穿晶體管,，表現(xiàn)出ReSe2間扭轉(zhuǎn)角度可調(diào)的PVR，并在扭轉(zhuǎn)角度為102°時(shí)達(dá)到最大,。這種對(duì)兩個(gè)ReSe2層之間的扭轉(zhuǎn)角度的強(qiáng)烈依賴(lài)性歸因于扭轉(zhuǎn)角在隧穿過(guò)程中對(duì)ReSe2層中兩個(gè)各向異性帶的聯(lián)合態(tài)密度的調(diào)節(jié),，顯著抑制了谷電流，從而增強(qiáng)了PVR,，這也得到了理論計(jì)算的支持,。此外，該器件對(duì)溫度和520nm光照的敏感性,，表明可以通過(guò)溫度和光照進(jìn)一步調(diào)控PVR,，并將其集成到光電應(yīng)用中。這一發(fā)現(xiàn)不僅為通過(guò)堆疊工程設(shè)計(jì)共振隧穿器件提供了一種新方法,，還為共振隧穿器件與光電應(yīng)用的結(jié)合提供了可能,。
圖1
圖1展示的基于1T’-ReSe2的各向異性共振隧穿效應(yīng)。圖a展示了1T’-ReSe2的原子結(jié)構(gòu)俯視圖,，展示了各向異性的晶格方向,。圖b展示了計(jì)算得到的第一導(dǎo)帶（CB-1，左）和第二導(dǎo)帶（CB-2,，右）的能帶圖,，顯示了強(qiáng)烈的面內(nèi)各向異性。圖c 展示了單層ReSe2的能帶結(jié)構(gòu),，顯示導(dǎo)帶最小值位于Γ點(diǎn),。圖d 展示了ReSe2/h-BN/ReSe2 共振隧穿晶體管在40°（左上）和108°（右上）扭轉(zhuǎn)角度下的能帶對(duì)準(zhǔn)示意圖。108° 共振隧穿晶體管中的聯(lián)合態(tài)密度（右下角紅點(diǎn)）低于40°的（左下角紅陰影）,。
圖2
圖2展示了102°扭曲堆疊共振隧穿晶體管中的負(fù)微分電阻,。圖a展示了ReSe2/h-BN/ReSe2 共振隧穿晶體管的示意圖，其中偏置電壓施加在底層ReSe2上,，共振隧穿效應(yīng)發(fā)生在重疊區(qū)域（紅色區(qū)域所示）,。圖b展示了102° 共振隧穿晶體管的光學(xué)圖像，橙色和綠色五角星表示拉曼測(cè)試的位置,。兩層ReSe2通過(guò)幾層h-BN（藍(lán)色虛線(xiàn)）分隔,。圖c展示了在拉曼位移127 cm-1處，頂部（橙色圓圈）和底部（綠色圓圈）ReSe2層的偏振依賴(lài)性拉曼強(qiáng)度,。擬合線(xiàn)（橙色和綠色線(xiàn)）顯示兩層ReSe2之間的扭轉(zhuǎn)角度為102°,。圖d展示了共振隧穿晶體管的TEM橫截面圖,，顯示兩層ReSe2的相對(duì)晶格方向。圖e展示了在不同柵電壓下的隧穿電流與偏置電壓的關(guān)系,，清楚地展示了柵電壓依賴(lài)的負(fù)微分電阻,。圖f展示了共振隧穿晶體管的電導(dǎo)圖，顯示了負(fù)微分電阻峰值隨柵電壓的變化趨勢(shì),。圖g展示了PVR和負(fù)微分電阻峰值位置隨柵電壓的變化總結(jié),。圖h展示了柵電壓Vg=40 V時(shí)不同溫度下的隧穿電流與偏置電壓的關(guān)系,，顯示出負(fù)微分電阻對(duì)溫度敏感,。圖i展示了102°TS-RTT與基于單層MoS2的未扭曲共振隧穿晶體管之間的溫度依賴(lài)PVR比較，未扭曲共振隧穿晶體管對(duì)溫度幾乎不具有依賴(lài)性,。圖j展示了在不同激光功率的520 nm光照射下的隧穿電流與偏置電壓的關(guān)系,，顯示出負(fù)微分電阻對(duì)光照敏感。
圖3
圖3展示了扭曲堆疊共振隧穿晶體管中的雙重負(fù)微分電阻峰,。圖a-c展示了87° TS-RTT中雙重負(fù)微分電阻峰對(duì)柵電壓和溫度的響應(yīng),。圖d-e展示了37° 扭曲堆疊共振隧穿晶體管中雙重負(fù)微分電阻峰和雙重PVR對(duì)柵電壓的響應(yīng)。圖f展示了能帶對(duì)準(zhǔn)的示意圖,，解釋了雙重負(fù)微分電阻峰的來(lái)源,。
圖4
圖4展示了不同扭轉(zhuǎn)角度下的負(fù)微分電阻總結(jié)。圖a-d展示了扭轉(zhuǎn)角度為1.8°,、31°,、45°和158°時(shí)扭曲堆疊共振隧穿晶體管的隧穿電流與偏置電壓的關(guān)系。圖e展示了PVR隨扭轉(zhuǎn)角度變化的總結(jié),，顯示在具有大扭轉(zhuǎn)角度的扭曲堆疊共振隧穿晶體管中,，PVR得到了增強(qiáng)（綠色虛線(xiàn)為參考線(xiàn)）。圖f展示了計(jì)算的108°扭轉(zhuǎn)角度扭曲堆疊共振隧穿晶體管的隧穿概率隨能量偏移的變化,。圖g展示了理論計(jì)算的PVR隨扭轉(zhuǎn)角度變化,，與（e）中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。
圖5
圖5展示了基于扭曲堆疊共振隧穿晶體管的三值邏輯逆變器和可調(diào)自供電光電探測(cè)器的應(yīng)用,。圖a展示了由158°扭曲堆疊共振隧穿晶體管和ReSe2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的三值逆變器示意圖,。圖b展示了逆變器輸入電壓與輸出電壓的關(guān)系，展示了三值的識(shí)別,。圖c展示了逆變器增益與輸入電壓的關(guān)系,。圖d展示了1.8°扭曲堆疊共振隧穿晶體管的功率依賴(lài)光電流與偏置電壓的關(guān)系。圖e展示了柵電壓依賴(lài)的光伏電流,，展示了自供電光電探測(cè)器的可調(diào)性,。圖f展示了在±40 V柵電壓下的光伏電流耐久性測(cè)量。
總之,，我們提出了在ReSe2/h-BN/ReSe2 扭曲堆疊共振隧穿晶體管中的各向異性共振隧穿效應(yīng),。由于ReSe2的能帶各向異性,，我們的器件通過(guò)調(diào)節(jié)扭轉(zhuǎn)角度展示了明顯的負(fù)微分電阻峰值和改善的PVR。歸因于在特定的102°扭曲角度下,，獨(dú)特的能帶對(duì)準(zhǔn)和聯(lián)合態(tài)密度的減少抑制了隧穿過(guò)程中的谷電流,，這一結(jié)果得到了我們理論計(jì)算的驗(yàn)證。此外,，我們還展示了我們的扭曲堆疊共振隧穿晶體管在具有三種邏輯狀態(tài)的逆變器和可調(diào)自供電光電探測(cè)器中的應(yīng)用,。我們的研究不僅引入了一種通過(guò)扭轉(zhuǎn)角度和動(dòng)量匹配來(lái)改善共振隧穿晶體管性能的扭曲堆疊技術(shù)，還展示了其在可編程光電子學(xué)和類(lèi)腦設(shè)備中的潛在應(yīng)用,。
文獻(xiàn)鏈接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsnano.4c13215
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