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北理工課題組在人工智能電鏡研究方面取得重要進(jìn)展


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日前,,北京理工大學(xué)醫(yī)學(xué)技術(shù)學(xué)院邵瑞文課題組和計(jì)算機(jī)學(xué)院付瑩教授課題組、香港城市大學(xué)董立新教授課題組合作,,利用基于深度學(xué)習(xí)的圖像處理技術(shù)與球差透射電子顯微鏡-原位系統(tǒng)相結(jié)合,,發(fā)展人工智能電子顯微鏡(AI-TEM)技術(shù),突破傳統(tǒng)離子遷移實(shí)驗(yàn)觀測方法的空間分辨率極限,,把電鏡動(dòng)態(tài)分辨率從納米尺度提升到原子尺度,,實(shí)現(xiàn)界面離子遷移及微觀結(jié)構(gòu)演變的原子級(jí)動(dòng)態(tài)觀測。相關(guān)成果以“Deep learning enhanced in-situ atomic imaging of ion migration at crystalline-amorphous interfaces”為題發(fā)表在《Nano Letters》上,。該工作得到了國家自然科學(xué)基金委和國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃的大力支持,。北京理工大學(xué)物理學(xué)院博士生董偉康、清華大學(xué)電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室博士后王祎馳,、北京大學(xué)物理學(xué)院博士楊晨為該論文的共同第一作者,,北京理工大學(xué)醫(yī)學(xué)技術(shù)學(xué)院邵瑞文副教授、計(jì)算機(jī)學(xué)院付瑩教授和香港城市大學(xué)董立新教授為論文共同通訊作者,。另外,,北京理工大學(xué)物理學(xué)院李家方教授也對(duì)此工作做出了貢獻(xiàn)。

現(xiàn)代電子顯微鏡通常能達(dá)到原子級(jí)的分辨率,,并能夠以皮米的精度觀察原子的復(fù)雜排列,,對(duì)于材料科學(xué)、納米技術(shù)和固體物理等領(lǐng)域的研究至關(guān)重要。然而原子級(jí)掃描透射成像(STEM)成像速度慢,,提高成像速度導(dǎo)致信噪比和成像質(zhì)量急劇降低,,不適合進(jìn)行高空間/時(shí)間分辨動(dòng)態(tài)觀察,因此原位動(dòng)態(tài)的高空間/時(shí)間分辨表征方法仍然是領(lǐng)域內(nèi)重大基礎(chǔ)科學(xué)和技術(shù)難題,。例如,,離子遷移作為一種關(guān)鍵性的微觀過程,在類腦計(jì)算,、能源存儲(chǔ),、生物傳感器以及生物電子學(xué)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。這些器件中的晶體材料在工作條件下經(jīng)歷多個(gè)離子遷移循環(huán),,極易形成缺陷甚至非晶相,。然而,由于界面處的非平衡性和隱蔽特性,,直接以原子精度探測界面上的離子遷移仍然是一個(gè)尚未解決的難題,。

團(tuán)隊(duì)在前期工作中設(shè)計(jì)構(gòu)建了一套基于掃描電鏡/透射電鏡(SEM/TEM)的多場多功能微納操作系統(tǒng),結(jié)合機(jī)器人操作用探針和高分辨率成像電子顯微鏡,,實(shí)現(xiàn)了納觀結(jié)構(gòu)在三維自由空間內(nèi)的實(shí)時(shí)操作和動(dòng)態(tài)物性表征,,發(fā)表于機(jī)器人與自動(dòng)化領(lǐng)域頂刊《IEEE Robotics and Automation Letters》。此外,,課題組通過微納操作系統(tǒng)構(gòu)筑復(fù)雜微納器件結(jié)構(gòu),,采用原位透射電鏡與計(jì)算機(jī)輔助圖像處理,,結(jié)合理論模擬,,系統(tǒng)地比較研究了二維材料在離子遷移過程中的反應(yīng)機(jī)理,發(fā)表在材料領(lǐng)域國際頂級(jí)期刊《Angew. Chem. Int. Ed.》,。在本工作中,,團(tuán)隊(duì)利用原位微納操作系統(tǒng)、球差校正電鏡,、以及自主開發(fā)的基于深度學(xué)習(xí)的STEM圖像增強(qiáng)器AtomEnhancer,,實(shí)現(xiàn)了晶界離子遷移的原子層次動(dòng)態(tài)觀察。通過直接的原子尺度觀察,,揭示了硒化銻(Sb2Se3)在晶體-非晶界面處鉀離子遷移和微觀結(jié)構(gòu)演化的原子動(dòng)力學(xué),。

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圖1. 雙傾原子分辨測試系統(tǒng)與自主開發(fā)軟件AtomEnhancer用于STEM圖像增強(qiáng)。a,,雙傾原位系統(tǒng)裝置示意圖,。b,具有納米機(jī)械手和β傾轉(zhuǎn)功能的雙傾桿模型,,用于精確的帶軸調(diào)控,。c,原位電學(xué)操控模型圖。d,,AtomEnhancer方法用于STEM圖像增強(qiáng),。

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圖2. 外加電場驅(qū)動(dòng)下Sb2Se3上的鉀離子占據(jù)狀態(tài)。a?c,,[010]方向的TEM圖像,,分別顯示3.0、5.0和10.0 s時(shí)的鉀化過程,。d,,c中放大的TEM圖像。e,,從K插入到晶體?非晶轉(zhuǎn)化的反應(yīng)路徑的DFT計(jì)算,。f)原始和鉀插入的STEM圖像。g,,對(duì)應(yīng)于f的AtomEnhancer增強(qiáng)圖像,。h,鉀離子占有位置統(tǒng)計(jì),。

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圖3. Sb2Se3中鉀離子遷移的位置,。a?c,Sb2Se3沿界面的STEM圖像,。d?f,,分別對(duì)應(yīng)于a?c的AtomEnhancer增強(qiáng)圖像。g?i,,分別對(duì)應(yīng)于d?f的Se?K?Se線輪廓,。l,計(jì)算出的Sb2Se3中K+離子位置⑤,。m,,分別在有應(yīng)力和無應(yīng)力時(shí)不同鉀離子位置的相對(duì)能量。

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圖4. 鉀離子插層后的晶格弛豫過程,。a,,初始 Sb2Se3 原子結(jié)構(gòu)。b,,利用 AtomEnhancer處理的圖像,。c,鉀離子插層前以及插層 10 分鐘和 12 小時(shí)Sb 和 Se 原子的晶格圖案平均原子位置,。d,,插層 10 分鐘后的原子結(jié)構(gòu)。e,,利用 AtomEnhancer 處理的圖像,。f,,應(yīng)變分布圖顯示插層 10 分鐘后應(yīng)變約為 ?10%。g,,插層 12 小時(shí)后的原子結(jié)構(gòu),。h,利用 AtomEnhancer 處理的圖像,。 i,,應(yīng)變分布圖顯示插層12小時(shí)后晶格內(nèi)的內(nèi)部應(yīng)變接近于零。

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圖5. 界面處的重結(jié)晶過程,。a,,結(jié)晶-非晶界面的原子尺度圖像,其中黃色虛線區(qū)域顯示稱為“平行”結(jié)構(gòu)的重結(jié)晶結(jié)構(gòu),。b,,a 中矩形區(qū)域的詳細(xì)原子結(jié)構(gòu)。c,,使用 AtomEnhancer 獲得的 a 的增強(qiáng)圖像,。d,c 中矩形區(qū)域的放大圖像,。e,,手性反轉(zhuǎn)過程的原子模型。

本文的獨(dú)特實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)使我們能夠直接觀察原子級(jí)的離子遷移過程,,揭示了此前未曾報(bào)道的機(jī)制,。研究結(jié)果表明,界面處存在額外的活性位點(diǎn),,這些位點(diǎn)有助于更多鉀離子和電子的容納,。我們還觀察到了一種新型的亞穩(wěn)態(tài),其特征是晶格體積減少10%,,隨后在鉀離子提取后發(fā)生了恢復(fù),,并在界面處出現(xiàn)意外的手性變化。界面區(qū)域的高效離子輸運(yùn)對(duì)于許多技術(shù)的性能至關(guān)重要,,涵蓋了從電化學(xué)能量存儲(chǔ)到類神經(jīng)計(jì)算等廣泛應(yīng)用。值得注意的是,,當(dāng)操作過程中界面發(fā)生結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變時(shí),,相關(guān)的性能可能會(huì)發(fā)生突變。這表明,,這些材料的界面主導(dǎo)性能依賴于穩(wěn)定和亞穩(wěn)界面結(jié)構(gòu)及其轉(zhuǎn)變,。

高速發(fā)展的現(xiàn)代表征儀器在科學(xué)、經(jīng)濟(jì)和社會(huì)中發(fā)揮著決定性作用,。將人工智能技術(shù)整合至原位原子分辨率透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)中,,展現(xiàn)出卓越的研究潛力。這一整合不僅為界面動(dòng)力學(xué)相關(guān)的基礎(chǔ)材料科學(xué)問題提供了新的探索視角,也為實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論模擬之間的協(xié)同分析開辟了創(chuàng)新路徑,。通過結(jié)合原位原子級(jí)STEM成像技術(shù)與基于深度學(xué)習(xí)的圖像增強(qiáng)方法,,能夠精確追蹤材料中的單個(gè)原子或原子列,并顯著提升成像的分辨率和信噪比,。這些先進(jìn)的技術(shù)手段為進(jìn)一步的原位研究奠定了新平臺(tái),,有助于推動(dòng)對(duì)界面動(dòng)力學(xué)的深入理解與研究。

論文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.4c04472


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